低电压Σ-Δ调制器关键技术及设计实例

• 作者: 刘爱荣 孔耀辉 杨华中
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: Σ-Δ调制器 开关电容 CMOS电路
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 技术报告
• 页码范围: 727-730
• 页数: 4页
• 分类号: TN761
• 字数: 2345字
• 语种: 中文

摘要

介绍了低电压开关电容Σ-Δ调制器的实现难点及解决方案,并设计了一种1 V工作电压的Σ-Δ调制器.在0.18 μm CMOS工艺下,该Σ-Δ调制器采样频率为6.25 MHz,过采样比为156,信号带宽为20 kHz;在输入信号为5.149 kHz时,仿真得到Σ-Δ调制器的峰值信号噪声失真比达到102 dB,功耗约为5 mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨华中	清华大学电子工程系	92	500	13.0	16.0
2	刘爱荣	清华大学电子工程系	3	6	2.0	2.0
3	孔耀辉	清华大学电子工程系	1	0	0.0	0.0