SiGe材料的组分表征研究与退火分析

• 作者: 冯世娟 李秋俊 田岗纪之 财满镇名
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: SixGe1-x薄膜 椭圆偏振光谱 二次离子质谱 退火 组分分布
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 660-662,683
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2925字
• 语种: 中文

摘要

采用固相扩散法在n-Si (100) 衬底上制备了两组退火条件不同的SixGe1-x薄膜.利用椭圆偏振光谱和二次离子质谱技术,对薄膜的厚度及组分分布进行了表征,两者具有较好的一致性.分析了退火对薄膜厚度、组分和应变的影响.成功得到了完全驰豫状态的SixGe1-x薄膜,可用于实际器件制作.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯世娟	重庆邮电大学光纤通信技术重点实验室	26	115	8.0	9.0
2	李秋俊	重庆邮电大学光纤通信技术重点实验室	26	219	9.0	14.0