采用SiGe虚拟衬底高迁移率应变硅材料的制备和表征

• 作者: 张侃 徐阳 杨宗仁 梁仁荣 王敬 许军
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 应变硅 RPCVD SiGe虚拟衬底 迁移率增强
• 年，卷（期）: 2007,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1518-1522
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.1
• 字数: 1004字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.10.005

摘要

研究了生长在弛豫Si0.79Ge0.21/梯度Si1-xGex/Si虚拟衬底上的应变硅材料的制备和表征,这一结构是由减压外延气相沉积系统制作的.根据双晶X射线衍射计算出固定组分SiGe层的Ge浓度和梯度组分SiGe层的梯度,并由二次离子质谱仪测量验证.由原子力显微术和喇曼光谱测试结果得到应变硅帽层的表面粗糙度均方根和应变度分别为2.36nm和0.83%;穿透位错密度约为4×104cm-2.此外,发现即使经受了高热开销过程,应变硅层的应变仍保持不变.分别在应变硅和无应变的体硅沟道上制作了nMOSFET器件,并对它们进行了测量.相对于同一流程的体硅MOSFET,室温下观测到应变硅器件中电子的低场迁移率显著增强,约为85%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许军	清华大学微电子学研究所	32	200	7.0	13.0
2	徐阳	清华大学微电子学研究所	11	45	4.0	6.0
3	梁仁荣	清华大学微电子学研究所	10	43	4.0	6.0
4	王敬	清华大学微电子学研究所	9	53	5.0	7.0
5	张侃	清华大学微电子学研究所	6	144	5.0	6.0
6	杨宗仁	清华大学微电子学研究所	1	20	1.0	1.0