应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管的阈值电压解析模型

• 作者: 刘冰洁 刘红侠 尹湘坤 郝跃
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 应变硅 绝缘层上硅锗 p型金属氧化物场效应晶体管 阈值电压解析模型
• 年，卷（期）: 2010,（12）
• 页码范围: 8877-8882
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

分析研究了应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管(SGOI pMOSFET)的阈值电压模型,修正了应变作用下SGOI pMOSFET的能带模型,并提取了主要的物理参量.这些典型的参量包括禁带宽度、电子亲和能、内建势等.给出了应变硅SGOI pMOSFET内部电势分布的二维泊松方程,通过边界条件求解方程,得出了准确的阈值电压模型,并且验证了该模型的正确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	312	1866	17.0	25.0
2	刘红侠	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	91	434	10.0	15.0
3	尹湘坤	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	1	5	1.0	1.0
4	刘冰洁	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	1	5	1.0	1.0