SiGe半导体在微电子技术发展中的重要作用

• 作者: 古妮娜 谢孟贤
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 双极型晶体管 异质结双极型晶体管 SiGe-HBT SiGe-BiCMOS 调制掺杂场效应晶体管 应变工程 SiGe-FET
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 专家论坛
• 页码范围: 34-43
• 页数: 10页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 13141字
• 语种: 中文

摘要

从Si-BJT和Si-FET集成电路在提高频率、速度上的困难,到SiGe-HBT和SiGe-FET及其集成电路的优异特性,论述了SiGe半导体在Si基微电子技术发展中的重要作用;特别强调了应变增强载流子迁移率-应变工程技术的重要作用.介绍了SiGe器件及其集成电路的发展概况.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢孟贤	电子科技大学微电子与固体电子学院	5	43	3.0	5.0
2	古妮娜		1	24	1.0	1.0