基于MBE的SiGe非选择性图形外延技术研究

• 作者: 张静 李竞春 谭开洲 韩春
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe BiCMOS 非选择性图形外延 MBE
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 93-95
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 1702字
• 语种: 中文

摘要

针对SiGe BiCMOS集成中材料低温特性和高温工艺的矛盾,研究了一种基于MBE的SiGe非选择性图形外延技术,并进行了扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、X射线双晶衍射(XRD)与位错密度测试.结果表明,该生长工艺制得了高质量SiGe薄膜,其表面平均粗糙度为0.45 nm,位错密度为0.3×103 cm-2～1.2×103 cm-2,图形边界处材料生长良好,未出现位错堆积.实验证实,该技术可满足SiGe BiCMOS器件制备要求

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李竞春	电子科技大学微电子与固体电子学院	26	81	5.0	6.0
2	谭开洲		23	106	5.0	9.0
6	张静		32	54	5.0	6.0
8	韩春	电子科技大学微电子与固体电子学院	2	1	1.0	1.0