二十四所半导体工艺技术发展历程与展望

• 作者: 何开全 王志宽 钟怡
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体工艺 双极 互补双极 CMOS VDMOS BiCMOS SOI
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 二十四所建所40周年纪念特稿
• 页码范围: 17-22
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.05
• 字数: 7736字
• 语种: 中文

摘要

回顾了中电科技集团公司第二十四研究所自建所以来的半导体集成电路工艺发展历程.晶圆尺寸从1.5吋(40 mm) 到6吋(150 mm),特征线宽从10 μm到0.5 μm,器件特征频率从低频到射频,工作电压从5 V到800 V,包括射频和高压大功率的各种器件.从研制成功全国第一块大规模集成电路至今,二十四所作为全国唯一的模拟集成电路专业研究所,在各个领域均取得了突出的成就,见证了中国半导体集成电路事业的发展历程.最后,展望了二十四所模拟及专用集成电路工艺技术的发展前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何开全		3	47	2.0	3.0
5	王志宽	中国电子科技集团公司第二十四研究所	4	11	3.0	3.0
6	钟怡		1	5	1.0	1.0