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微电子学2021年第3期出版文献
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
微电子学
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本刊是技术类期刊。传播、普及、推广 微电子科学技术知识，介绍国内微电子行业的最新研究成果和国外微电子业界的发展动态。有关微电子学基础理论，微电子器件与电路, 集成电路，半导体工艺和制造技术，集成电路封装技术，多芯片组件技术，集成电路可靠性技术，片上系统，集成系统等领域的研究论文、技术报告、综合评述、产品应用等内容。该刊被重点检索刊物、数据库、期刊网站所收录，是中国核心期刊之一。
主办单位：
四川固体电路研究所
期刊荣誉：
中文核心期刊
信息产业部优秀电子科技期刊
ISSN：
1004-3365
CN：
50-1090/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
3955
总下载数（次）
20
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刊名： 微电子学发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 基于gm/Id查找表方法,设计了一种用于14位100 MS/s流水线逐次逼近寄存器模数转换器(Pipelined-SAR ADC)的余量放大器.该余量放大器采用高增益宽带宽的增益自举运算放大...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 在Flash、带电可擦可编程只读存储器(EEROM)等存储器中,电荷泵电路是用于提供编程、擦除和读取高压的重要模块.电荷泵调节电路用于输出稳定的电压和电流.文章提出了一种新型Flash电荷泵...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 设计了一种两级低电压自启动电路,实现低输入电压条件下热电能量收集系统的自启动.在第一级自启动电路中引入一种新型堆叠式反相器,构成环形振荡器结构,在低供电电压下产生较大的振荡摆幅;第二级自启动...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 提出了一种采用0.13 μm SiGe工艺制作的77 GHz功率放大器.该放大器采用两路合成结构提高输出功率,采用两级差分放大结构提高增益.功率级选择Cascode结构,提升功率级输出阻抗,...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 根据微弱能量收集系统的应用需要,设计了一种宽电压范围的折叠式低电压、低功耗迟滞比较器.在比较器输入级、输出级分别利用偏置电路和内部节点对尾电流管进行偏置,实现了根据现场工作电压的变化自动调节...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 设计了一种基于0.25 μm GaAs p-HEMT工艺的低插损6位数字衰减器.采用Pi型衰减结构与T型衰减结构级联的方式,实现低插入损耗和高衰减精度.采用相移补偿电路减小附加相移,采用幅度...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 设计了一种用于AC-DC电源适配器的同步整流电路,集成了同步整流控制芯片、功率MOSFET和储能电容.该新型整流电路在无外部供电、无外部驱动信号、无外围元件的条件下能快速精确地开关功率MOS...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 设计了一种适用于40Ω～100 Ω内调节的高精度片内电阻校准电路,该电路可精确调整因工艺波动产生变化的片内电阻阻值.片内电阻校准电路采用模数混合控制方法,即以片外电阻为基准,采用高精度回滞比...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 基于3 dB分支定向耦合器的S参数特性,提出了一种新型的相位差和分配比同时可调的功分器.通过改变该功分器的两条横向传输线的电长度,可以实现功分器的相位差和分配比可调.当3 dB分支定向耦合器...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 介绍了薄膜混合集成电路(HIC)中金铝键合失效机理,提出了一种解决金铝键合失效的新工艺.分析失效机理发现,铝丝和薄膜金导带形成的金铝界面因原子扩散而形成内部空洞,出现键合根部的键合丝断裂的现...
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11. 一种新型的密码芯片安全评估方法刊名： 微电子学发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 安全性评估是密码芯片设计中的重要环节.传统的安全性分析方法主要包括泄漏评估和侧信道攻击,但是这些方法需要采集大量功耗曲线,对时间和采集设备都有较高要求.提出了利用芯片仿真波形进行安全性分析,...
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12. 一种可编程高速宽带分频器刊名： 微电子学发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 基于0.18 μm SiGe BiCMOS工艺,设计实现了一种可编程高速宽带分频器电路,分析了分频器实现高频宽带的方法.提出了一种模值可切换的/4/5、/8/9前置分频器结构和CML差分结构...
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13. 射频电路ESD防护优化设计刊名： 微电子学发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 在0.18μm SiGe BiCMOS工艺下,设计了三种射频端口的ESD防护电路.在不影响ESD防护能力的前提下,通过串联多级二极管,可以显著提高射频电路的线性度.通过在二极管通路中串联LC...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 提出了一种采用响应曲面(RSM)协同优化压控振荡器(VCO)的功耗、相位噪声的方法.以差分耦合LC-VCO电路为实验设计对象,在电路结构上增加级联交叉耦合负阻管结合外部电流镜偏置,改进了相位...
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15. NAND闪存错误缓解技术综述刊名： 微电子学发表期刊： 2021年3期页码:摘要： NAND闪存以其高存储密度、高速、低功耗等优点被广泛应用于数据存储.三维堆叠闪存技术的出现和多值存储技术的发展进一步提高了密度,降低了存储成本,同时也带来了更加严重的可靠性问题.闪存主控厂商...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 从氧化后退火处理、氮化处理、碳帽、钡夹层、淀积氧化物后退火处理五个方面介绍了碳化硅钝化工艺.通过改进钝化工艺可以有效降低界面态密度.针对这几种钝化工艺对SiC/SiO2界面态密度的影响进行讨...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 全面综述了先进金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的1/f噪声研究进展.界面态、器件结构、材料缺陷、量子效应等诸多因素均会影响1/f噪声.随着工艺尺寸的持续缩小和高k介质材料的应用,...
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18. 机械应力对双极晶体管β的影响研究刊名： 微电子学发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 在芯片制造工艺过程中,机械应力对纵向NPN管共射电流增益β有很大影响.通过对上方第二层铝开槽可使β值回升.在第一层铝与第二层铝间的IMD层中加入压应力Si3N4膜,尺寸最大的NPN管的β恢复...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 为了得到高击穿电压、高阈值电压的增强型GaN器件,提出了一种P型掺杂GaN(P-GaN)栅极结合槽栅技术的AlGaN/GaN/AlGaN双异质结结构.该器件的阈值电压高达3.4 V,击穿电压...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 提出了一种快速开启的低触发改进型DTSCR(MDTSCR).该MDTSCR是在传统DTSCR基础上加入电流增益放大模块,大幅提升了寄生双极型晶体管的电流增益,降低触发电压,提高了器件的开启速...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2021年3期页码:摘要： Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管(DGTFET)较传统硅基DGTFET有更好的电学性能.文章基于Sentaurus TCAD仿真软件,构建了有/无Pocket两种结构的Si/Ge异质结D...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 为了提升电容式MEMS微波功率传感器的测量灵敏度,本文充分利用传感器的内部空间结构,提出了一种基于对称双悬臂梁结构的电容式微波功率传感器.根据对称式双梁结构的特点,建立了对称双悬臂梁结构的枢...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 功率MOSFET作为开关器件时,导通电阻的平坦度是衡量其性能的重要参数.研究影响导通电阻平坦度的因素,并对其进行优化,有助于改善器件的性能.低压UMOS中,沟道电阻是导通电阻的主要部分.文章...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 对不同几何尺寸的8型栅NMOS,在受到总剂量辐射影响时其电参数特性的损伤或退化特性,以及与常规结构抗总剂量能力或参数损伤变化比较的异同进行了研究.研究结果表明,栅源重叠宽度和宽长比对8型栅关...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 提出了一种等效串联电容式MEMS微波功率传感器,在不影响传感器微波性能的前提下,实现了过载功率的提升.分别建立了传感器的力学模型和集总参数模型,对过载功率特性和微波特性进行了优化与分析.使用...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 基于GaN/AlGaN/GaN-on-Si材料,研制了一种高压低功耗新型肖特基二极管(SBD).由于异质结的极化效应,在AlGaN/GaN界面会产生高浓度的二维电子气(2DEG),在GaN/...
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27. 增强型氮化镓功率器件的总剂量效应刊名： 微电子学发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 研究了P型帽层和共源共栅(Cascode)结构氮化镓(GaN)功率器件高/低剂量率辐照损伤效应.试验结果表明,P型帽层和Cascode结构GaN功率器件都不具有低剂量率损伤增强效应(ELDR...
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刊名： 微电子学发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 为了更好地控制共晶焊接空洞率和剪切力,提出了一种采用正交试验法优化自动共晶焊接参数的方法.对焊接温度、焊接时间、焊接压力三个关键参数采用正交法进行三因子两水平极差分析,得到了影响芯片金锡共晶...
微电子学基本信息
| 刊名 | 微电子学 | 主编 | 武俊齐 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 四川固体电路研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1004-3365 | CN | 50-1090/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | wdzx@sisc.com.cn |
| 电话 | 023-62834360 | 网址 | wdzx.sisc.com.cn |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号24所 |
微电子学评价信息
该刊被以下数据库收录
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| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 文摘杂志(俄) |
| 4. | 科学文摘(英) |
| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中文核心期刊 |
| 2. | 信息产业部优秀电子科技期刊 |
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