Mg含量对Mgx Zn1-x O：Ga薄膜电学性质的影响

• 作者: 张振中 李超群 申德振 谢修华 陈洪宇
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: MgZnO Ga掺杂 能级深度 电阻
• 年，卷（期）: 2014,（12）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 1405-1409
• 页数: 5页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2454字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20143512.1405

摘要

通过金属有机物化学气相沉积法制备了不同Mg组分的MgxZn1-xO：Ga(x=0,0.03,0.14)薄膜。透射谱中Mgx Zn1-x O：Ga薄膜的光学带隙随x增大而出现的蓝移证实了Mg在ZnO晶格中的替位掺入。薄膜上金叉指电极间的变温I-V曲线显示,在同等温度下,Ga掺杂Mgx Zn1-x O薄膜的电阻率随着x值的增大而逐渐升高。这是由于Mg组分增大使材料的导带底显著上升,Ga的施主能级深度增大,导致n型载流子浓度降低。根据I-V曲线计算了270 K温度下MgxZn1-xO：Ga薄膜的浅能级施主深度。与x=0,0.03,0.14对应的施主能级深度分别为45.3,58.5,65 meV,说明随着薄膜Mg含量的升高,Ga的施主能级深度有增加的趋势。