| 篇名 | The influence of the channel electric field distribution on the polarization Coulomb field scattering in AlN/GaN heterostructure field-effect transistors | ||
| 来源期刊 | 半导体学报(英文版) | 学科 | |
| 关键词 | |||
| 年,卷(期) | 2014,(12) | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 48-52 | |
| 页数 | 分类号 | ||
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | 10.1088/1674-4926/35/12/124007 | ||