H2S气氛下硫化温度对Cu2ZnSnS4薄膜性能影响的研究

• 作者: 曹子建 沈鸿烈 王威 金佳乐
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 CZTS薄膜 H2S 硫化温度
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 所属期刊栏目: 功能薄膜
• 页码范围: 1101-1105
• 分类号: O484.4|TB34
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2014.10.18

摘要

用磁控溅射法在玻璃衬底上沉积Zn/Sn/Cu预置层,然后再在H2S气氛下将其硫化制成Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜.研究了不同硫化温度(40,500,540和580℃)对CZTS薄膜性能的影响.采用X射线衍射、Raman、扫描电镜、能量色散谱和紫外-可见-近红外分光光度计表征薄膜的物相、表面形貌和光学性能.结果表明,在不同硫化温度下都成功制备了CZTS薄膜.当硫化温度为540℃时,制备的薄膜晶粒达到2μm,结晶性最好,表面致密光滑,而且它的吸收系数大于7×104 cm-1,禁带宽度为1.49 eV.硫化温度较低(40℃)时,含有Cu2-xS杂质相,表面存在孔洞.而硫化温度较高(580℃)时,晶界处会产生微裂纹.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈鸿烈	南京航空航天大学材料科学与技术学院	93	264	9.0	10.0
2	王威	南京航空航天大学材料科学与技术学院	23	52	4.0	5.0
3	金佳乐	南京航空航天大学材料科学与技术学院	4	11	2.0	3.0
4	曹子建	南京航空航天大学材料科学与技术学院	1	0	0.0	0.0