表面预处理对InSb钝化层界面的影响

• 作者: 史梦然 宁玮 段建春 肖钰
• 来源期刊: 激光与红外
• 学科: 工学
• 关键词: InSb 钝化 预处理 C-V
• 年，卷（期）: 2014,（8）
• 所属期刊栏目: 红外材料与器件
• 页码范围: 902-905
• 页数: 4页
• 分类号: TN213
• 字数: 2984字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5078.2014.08.015

摘要

本文介绍了采用不同的方法对InSb表面进行表面预处理，来改善InSb钝化膜层的电学性能。通过对InSb MIS结构进行C-V测试来评价不同方法预处理制备的钝化结构的电学特性。结果表明等离子预处理能明显改善InSb 衬底和钝化层之间的界面性能，尤其是选用N2 O等离子预处理InSb衬底表面，在控制界面陷阱和减少钝化层固定电荷方面，效果更明显，有利于提高InSb红外器件的可靠性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宁玮		4	4	1.0	2.0
2	史梦然		4	7	2.0	2.0
3	肖钰		9	20	3.0	4.0
4	段建春		2	4	1.0	2.0