MOCVD法生长InAlN材料及其微结构特性研究

• 作者: 倪金玉 张东国 彭大青 李亮 李忠辉 董逊
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD InAlN 迁移率
• 年，卷（期）: 2014,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究?开发
• 页码范围: 104-106
• 页数: 3页
• 分类号: TB304
• 字数: 1485字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2014.增刊(Ⅰ).024

摘要

利用MOCVD法,在7．62 cm蓝宝石衬底上生长了InAlN薄膜及InAlN/GaN 异质结材料.利用XRD、AFM、Hall 等测试方法对材料的组分、表面形貌、电学性质等进行了分析,InAlN 薄膜中 In 含量随生长温度的升高明显降低,材料表面为三维岛状结构；与AlGaN/GaN异质结材料相比,InAlN/GaN 异质结的高温电子输运特性更好,773 K 下 InAlN/GaN 异质结的迁移率为130 cm2/(v?s),明显高于 AlGaN/GaN异质结的67 cm2/(v?s).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	倪金玉	南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室	4	3	1.0	1.0
2	董逊	南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室	9	39	3.0	6.0
3	李亮	南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室	4	15	2.0	3.0
4	彭大青	南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室	4	15	2.0	3.0
5	张东国	南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室	2	2	1.0	1.0