考虑硅衬底效应的基于TSV的3D-IC电源分配网络建模

• 作者: 刘欣 孙浩 赵振宇
• 来源期刊: 计算机工程与科学
• 学科: 工学
• 关键词: 3D-IC 电源分配网络 P/G TSV PDN阻抗 硅衬底效应
• 年，卷（期）: 2014,（12）
• 所属期刊栏目: 高性能计算专辑
• 页码范围: 2339-2345
• 页数: 7页
• 分类号: TP301
• 字数: 4265字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-130X.2014.12.014

摘要

基于硅通孔TSV的3D-IC在电源分配网络PDN中引入了新的结构——TSV,另外,3D堆叠使得硅衬底效应成为不可忽略的因素,因此为3D-IC建立PDN模型必须要考虑TSV以及硅衬底效应.为基于TSV的3D-IC建立了一个考虑硅衬底效应的3D PDN模型,该模型由P/G TSV对模型和片上PDN模型组成.P/G TSV对模型是在已有模型基础上,引入bump和接触孔的RLGC集总模型而建立的,该模型可以更好地体现P/G TSV对的电学特性;片上PDN模型则是基于Pak J S提出的模型,通过共形映射法将硅衬底效应引入单元模块模型而建立的,该模型可以有效地反映硅衬底对PDN电学特性的影响.经实验表明,建立的3D PDN模型可以有效、快速地估算3D-IC PDN阻抗.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙浩	国防科学技术大学计算机学院	9	63	4.0	7.0
2	刘欣	长沙学院数学与计算科学系	10	31	2.0	5.0
3	赵振宇	国防科学技术大学计算机学院	7	23	3.0	4.0