基于gm/ID的CMOS模拟集成电路设计方法及应用

• 作者: 徐鹏程 石江华 韩志刚
• 来源期刊: 微型机与应用
• 学科: 工学
• 关键词: 运算放大器 gm/ID 设计方法 反型系数
• 年，卷（期）: 2014,（21）
• 页码范围: 25-28
• 页数: 4页
• 分类号: TN43
• 字数: 3068字
• 语种: 中文

摘要

介绍一种基于 gm/ID参数特性的模拟电路优化设计方法，并以 CMOS两级运算放大器的设计为例具体阐述该方法的基本设计步骤和与传统设计方法相比的优势。该方法以晶体管的跨导和漏电流的比值 gm/ID与反型系数 IC的特性曲线作为设计参量来对电路进行设计。基于 gm/ID的设计方法对晶体管工作在所有的工作区域均有效。实验仿真结果很好地验证了 gm/ID设计方法的有效性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩志刚	同济大学电子与信息工程学院	14	31	3.0	5.0
2	徐鹏程	同济大学电子与信息工程学院	5	8	2.0	2.0
3	石江华	同济大学电子与信息工程学院	2	10	2.0	2.0