In-2N高共掺位向对ZnO（GGA+U）导电性能影响的研究*

• 作者: 乌云 侯清玉 赵春旺
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: In-2N高掺杂ZnO 导电性能 第一性原理
• 年，卷（期）: 2014,（13）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 137201-1-137201-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.137201

摘要

目前,虽然In和2N共掺对ZnO导电性能影响的实验研究均有报道,但是, In和2N共掺在ZnO中均是随机掺杂,没有考虑利用ZnO的单极性结构进行择优位向共掺.第一性原理的出现能够解决该问题.因此,本文采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了未掺杂ZnO单胞、不同位向高共掺In-2N原子的Zn1-xInxO1-yNy (x=0.0625, y =0.125)两种超胞模型的能带结构分布、态密度分布和吸收光谱分布.计算结果表明,高共掺In-N原子沿c轴取向成键的条件下,掺杂浓度越低,体系更稳定、带隙越窄、有效质量越小、迁移率越增加、相对自由空穴浓度越增加、电导率越增加、导电性能越理想.计算结果与实验结果相一致.这对设计和制备导电功能材料有一定的理论指导作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	侯清玉	内蒙古工业大学理学院物理系	43	191	7.0	9.0
2	赵春旺	内蒙古工业大学理学院物理系	58	247	9.0	12.0
3	乌云	内蒙古化工职业学院化学工程系	12	32	3.0	4.0