典型FLASH存储器60Coγ电离辐射效应测试与分析

• 作者: 吾勤之 宋卫 曲狄
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: FLASH存储器 电离辐射效应 辐照敏感参数 辐照偏置条件
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 12-16
• 页数: 5页
• 分类号: TN432|TN79
• 字数: 3698字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11889/j.0253-3219.2015.hjs.38.010202

摘要

通过测量卫星用FLASH存储器的内部存储数据逻辑状态出错(ww-0)、电源电流、输出高低电平电压、输入漏电流以及交流参数随辐照剂量的变化情况,对FLASH存储器的电离辐射效应损伤规律、敏感参数进行了研究.研究结果表明,FLASH存储器的电离辐射效应损伤规律主要表现为随辐照剂量增加,存储数据逻辑状态出现错误,数据读取、数据擦除以及维持模式下的电源电流逐渐增大,这些参数可以作为辐照敏感参数;动态辐照偏置下存储数据逻辑状态出错时的剂量阈值比静态辐照偏置和不加电辐照偏置条件下大一个数量级以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吾勤之		8	24	3.0	4.0
2	宋卫		2	4	1.0	2.0
3	曲狄		1	4	1.0	1.0