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Effect of post oxidation annealing in nitric oxide on interface properties of 4H-SiC/SiO2 after high temperature oxidation
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| 篇名 | Effect of post oxidation annealing in nitric oxide on interface properties of 4H-SiC/SiO2 after high temperature oxidation | ||
| 来源期刊 | 半导体学报（英文版） | 学科 | |
| 关键词 | |||
| 年，卷（期） | 2015,（9） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 58-61 | |
| 页数 | 分类号 | ||
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | 10.1088/1674-4926/36/9/094003 | ||
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出版周期：
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ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
开本：
大16开
出版地：
北京912信箱
邮发代号：
2-184
创刊时间：
1980
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