基于负性光刻胶掩膜的湿法多晶硅制绒

• 作者: 丁彬 张宏 徐国庆 程现铁
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅太阳能电池 表面制绒 湿法刻蚀 光刻法 负性光刻胶
• 年，卷（期）: 2015,（7）
• 页码范围: 1748-1753
• 页数: 6页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 3609字
• 语种: 中文

摘要

提出了一种用于大规模多晶硅太阳能电池生产的制绒工艺,采用负性光刻胶作为湿法刻蚀的掩膜,制备蜂巢状低反射率绒面.通过研究氢氟酸/硝酸溶液中各向同性刻蚀时腐蚀坑的形成过程,发现随着刻蚀时间的增加,在掩膜图形的开孔下逐渐形成六方分布的球面形状的腐蚀坑,腐蚀坑的深径比(深度/开孔直径)出现先上升然后下降的趋势.同理论计算值对比发现,随着刻蚀时间增加,掩膜和硅片的附着紧密性及掩膜的阻挡效应降低,酸液可能渗入了掩膜和硅片的界面,横向刻蚀速度快速上升,降低了深径比,导致实际的反射率高于理论计算值.尽管如此,本文还是成功制备了孔径15微米的蜂巢状绒面,反射率达到了22.9％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁彬	西安交通大学电气工程学院电力设备电气绝缘国家重点实验室	1	1	1.0	1.0
5	程现铁	西安交通大学电气工程学院电力设备电气绝缘国家重点实验室	1	1	1.0	1.0
9	徐国庆	西安交通大学电气工程学院电力设备电气绝缘国家重点实验室	1	1	1.0	1.0