原位氧化硅钝化层对氧化钒薄膜光电特性的影响

• 作者: 刘礼 周润生 姬荣斌 孔令德 方辉 杨文运 铁筱滢 魏虹
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: 离子束溅射沉积 SiOx/VOx双层膜 残余气体分析仪(RGA) 电阻温度系数(TCR)
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 319-322
• 页数: 4页
• 分类号: TN215
• 字数: 2054字
• 语种: 中文

摘要

氧化硅（SiOx）原位钝化层对氧化钒（VOx）薄膜电学特性的影响分析旨在改善像元微桥结构的光学吸收特性，提高热敏VOx薄膜层的方阻和电阻温度系数（TCR）稳定性。采用离子束溅射沉积50nm VOx薄膜后，紧接着沉积30nm SiOx钝化层。通过原位残余气体分析仪（RGA）和衬底温度控制，调节氧化钒薄膜中的氧含量，分析了VOx单层膜、SiOx/VOx双层膜的电学特性随工艺温度的变化规律，原位残余气体分析仪（RGA）和150℃加温工艺提高了VOx热敏层薄膜的方阻和电阻温度系数稳定性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姬荣斌		50	200	7.0	10.0
2	孔令德		12	37	4.0	4.0
3	铁筱滢		4	5	1.0	2.0
4	方辉		4	11	2.0	3.0
5	杨文运		2	3	1.0	1.0
6	魏虹		2	3	1.0	1.0
7	刘礼		1	1	1.0	1.0
8	周润生		1	1	1.0	1.0