一种分段曲率补偿带隙基准源设计

• 作者: 冯全源 李睿
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准 亚阈值 曲率补偿 温漂 温度系数 电源抑制比
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 57-60
• 页数: 4页
• 分类号: TN43
• 字数: 2140字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.06.015

摘要

在传统带隙基准的基础上，设计了一种分段曲率补偿的低温漂带隙基准。利用NMOS管工作在亚阈值区域时漏电流和栅极电压的指数特性，在低温和高温段同时对基准电压进行曲率补偿，采用UMC 0.25μm BCD工艺进行仿真。仿真结果表明，电源电压5 V时，静态功耗电流为7.11μA；电源电压2.5~5.5 V，基准电压变化148μV；温度在–40~＋145℃内，电路的温度系数为1.18×10–6/℃；低频时电源抑制比为–87 dB。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯全源	西南交通大学微电子研究所	261	1853	19.0	26.0
2	李睿	西南交通大学微电子研究所	7	22	3.0	4.0