集成电路工艺外延图形漂移剖析

• 作者: 宋玲玲 李浩 王利斌
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: 外延 漂移 校正
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 页码范围: 19-21,24
• 页数: 4页
• 分类号: TN405.95
• 字数: 2274字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2015.01.007

摘要

外延结构的生长特性决定了埋层图形在外延层上漂移的现象，这种现象会给工艺带来危害，导致产品失效。在实际工艺中，通常是通过一定的校正原则来抵消埋层漂移的影响。另外，最后还给出了隔离击穿电压的测试分析方法。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋玲玲	中国电子科技集团公司第四十七研究所	6	43	2.0	6.0