PECVD技术制备单层光学薄膜抗激光损伤特性研究

• 作者: 徐均琪 李林军 李鹏 杭凌侠
• 来源期刊: 应用光学
• 学科: 工学
• 关键词: PECVD 光学薄膜 激光损伤阈值 激光损伤特性测试装置 损伤形貌
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 光电系统与工程
• 页码范围: 206-213
• 页数: 8页
• 分类号: TN249|O484
• 字数: 3401字
• 语种: 中文
• DOI: 10.5768/JAO201536.0201008

摘要

采用PECVD技术在BK7玻璃基底上沉积了不同厚度的单层SiO2（折射率为1．46）和SiNx （折射率为1．84）光学薄膜，并对这2种膜层进行抗激光损伤阈值（LIDT ）测试，分析讨论了PECVD技术制备的单层光学薄膜与抗激光损伤特性之间的关系。实验结果表明：PECVD技术制备的单层SiO2薄膜有较高的LIDT ，薄膜光学厚度在λo／4～λo／2之间时，在光学厚度为350 nm时，LIDT有最小值21．7 J／cm2，光学厚度为433 nm时，LIDT有最大值27．9 J／cm2。SiNx 薄膜的L ID T随着光学厚度增加而减小，在光学厚度为λo／4时，L ID T 有最大值29．3 J／cm2，光学厚度为λo／2时，L ID T有最小值4．9 J／cm2。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐均琪		87	611	13.0	20.0
3	杭凌侠		93	777	15.0	22.0
7	李鹏		7	44	5.0	6.0
13	李林军		1	6	1.0	1.0