硅微波BJT集电极-发射极漏电的失效机理分析

• 作者: 李明月 胡顺欣 苏延芬 邓建国
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 硅微波双极晶体管 介质击穿/隧穿 等离子体充电效应 等离子体损伤 PtSi合金
• 年，卷（期）: 2015,（7）
• 所属期刊栏目: 材料制造工艺与设备
• 页码范围: 18-22
• 页数: 5页
• 分类号: TN305|TN405
• 字数: 2303字
• 语种: 中文

摘要

介绍了硅微波双极晶体管中一种集电极-发射极漏电的失效模式,着重从芯片制造工艺方面研究了失效机理.建立了RIE等离子体刻蚀等效电容模型,研究了电容介质隧穿/击穿诱发的工艺损伤和接触孔侧壁角度对PtSi的影响.结果表明:RIE干法刻蚀在接触孔局部诱发Si损伤,接触孔侧壁角度减小导致参与合金的Pt总量增加,部分Pt沿此通道穿透发射结进入中性基区形成深能级陷阱,在高反偏集电极-发射极电压VCE作用下进入扩展的集电结空间电荷区,增加了空间电荷区电子-空穴对的产生率和集电结反偏电流I∞,形成快速增大的集电极-发射极漏电流ICEO,导致芯片失效.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡顺欣	中国电子科技集团公司第十三研究所	9	21	3.0	4.0
2	苏延芬	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	39	2.0	6.0
3	邓建国	中国电子科技集团公司第十三研究所	19	45	4.0	5.0
4	李明月	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	46	2.0	6.0