空位缺陷对单层MoS2电子结构的影响

• 作者: 刘佳佳 吴胜宝 姜海青 张志勇 张玉明 雷天民
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 化学
• 关键词: 第一性原理 MoS2 空位 电子结构
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 608-611
• 页数: 4页
• 分类号: O472+.3|O471.5|O614.61+2
• 语种: 中文

摘要

为了研究单层MoS2中的空位缺陷形成及其对电子结构的影响,基于密度泛函理论框架下的第一性原理,采用平面波赝势方法分别计算了单层MoS2中Mo空位和S空位的形成能、空位附近的晶格畸变、MoS2层中的电子分布以及态密度(DOS)和能带结构.计算结果显示,2种空位缺陷都具有点缺陷特征,其附近的电子分布呈现出明显的局域化特点,且S空位比Mo空位更容易形成.通过与本征态MoS2电子结构的对比分析,发现2种空位缺陷的存在对单层MoS2的电子结构、尤其是对导带高能量区域的能态密度会产生十分明显的影响,这些影响可能与空位缺陷引入的缺陷能级有关.