4H-SiC材料在SF6/O2/HBr中的ICP-RIE干法刻蚀

• 作者: 何志 刘敏 刘胜北 杨霏 杨香 王晓东 王进泽 钮应喜 颜伟
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅(SiC) 电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE) SF6/O2/HBr 微沟槽效应 刻蚀速率
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 59-63
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2015.01.010

摘要

传统SiC干法刻蚀中普遍出现明显的微沟槽效应,对后续工艺以及SiC器件性能有重要影响.针对这一问题,采用SF6/O2/HBr作为刻蚀气体,对4H-SiC材料的电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE)进行了工艺条件的研究探索,分别研究了SF6,O2和HBr流量百分比对SiC刻蚀速率及微沟槽效应的影响.实验结果表明:SiC刻蚀速率随SF6和O2流量百分比的增加,先增大后减小.HBr气体作为SiC刻蚀的新型附加气体,在保护侧壁和降低微沟槽效应方面具有重要作用.在SF6,O2和HBr气体流量比为11∶2∶13时取得了较好的刻蚀结果,微沟槽效应明显降低,同时获得了较高的刻蚀速率,刻蚀速率达到536 nm/min.