RIE模式干法刻蚀ADS产品铝腐蚀改善研究

• 作者: 吴超 王晏酩 王辉 蒋会刚 赵海生 高建剑
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 铝腐蚀 TFT沟道 TFT特性 沟道厚度
• 年，卷（期）: 2017,（7）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 518-525
• 页数: 8页
• 分类号: TN141.9
• 字数: 3119字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20173207.0518

摘要

Full-in-cell(FIC)产品信号线SD层结构为Mo-Al-Mo结构,使用Reactive Ion Etching(RIE)模式干法刻蚀设备进行N+ Etch时,氯的化合物会吸附在信号线中的Al线侧壁及光刻胶的表面,当玻璃基板离开刻蚀腔体接触到空气,遇到水分发生水解反应,对Al线造成腐蚀,严重影响产品特性.本文在RIE刻蚀模式腔体内采用刻蚀条件变更改善Al腐蚀现象,通过对刻蚀的前处理步骤,后处理步骤以及去静电步骤的参数包括压强、功率和时间以及气体流量比进行实验设计并对数据进行分析.实验结果表明当后处理步骤2 000 W,O2/SF6比例为2 000 mL·min-1/50 mL·min-1,压强为200 mt(1 mt=0.133 Pa),Time为15 s为最优条件,可以彻底改善Al腐蚀现象.此条件TFT特性方面更加优越,Dark Ion为1.91 μA,Photo Ioff为4.1 pA.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋会刚		2	4	2.0	2.0
2	王晏酩		3	9	2.0	3.0
3	高建剑		1	2	1.0	1.0
4	赵海生		1	2	1.0	1.0
5	王辉		1	2	1.0	1.0
6	吴超		1	2	1.0	1.0