ECCP干法刻蚀条件下的TFT基板绝缘层过孔腐蚀的改善

• 作者: 付婉霞 伍蓉 刘耀 吴洪江 廖加敏 李梁梁 林鸿涛 王宝强 邱鑫茂 陈曦
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: ECCP模式 过孔刻蚀 腐蚀改善
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 119-124
• 页数: 6页
• 分类号: TN141.9
• 字数: 3665字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20193402.0119

摘要

过孔搭接失效一直是TFT-LCD行业中重点改善的不良之一.为了解决该不良,本文分析了不同刻蚀模式(ICP和ECCP)对过孔形貌的影响,利用四因子法研究ECCP模式刻蚀参数(压力、偏置/源极射频功率及O 2/SF6气体比例)对刻蚀速率和均一性的影响,并得出ECCP过孔改善的最佳刻蚀参数.结果表明:ECCP模式下,氮化硅刻蚀过程中物理轰击对GI截面的下沿与Cu接触区域形成损伤后产生的缺陷,是诱发过孔腐蚀的主要因素,ICP模式无腐蚀.反应腔压力增大刻蚀速率增大,均一性下降;偏置射频功率增大,速率增大,均一性提高;源极射频功率增大,速率变化小,均一性下降;O 2/SF6气体比例对速率影响小,O 2含量越高,均一性越高.为达到PR胶保护GI下沿截面的目的,反应压力增大到1.7 Pa,偏置射频功率减小到30 kW,源极功率增加到30 kW,O 2/SF6气体保持比例1:1后,增加了氮化硅的刻蚀量,减小PR胶的内缩量,避免物理溅射表面损伤;同时刻蚀速率达到750 nm/s,均一性达到10％,腐蚀发生率为10％～0,使ECCP刻蚀模式对过孔的腐蚀影响得到有效解决.