薄膜晶体管平坦化层干法刻蚀工艺的研究

• 作者: 孙明剑 林锡勳 董承远
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜晶体管 平坦化层 低介电常数 干法刻蚀
• 年，卷（期）: 2019,（11）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 1055-1060
• 页数: 6页
• 分类号: TN141.9
• 字数: 2119字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20193411.1055

摘要

为了降低薄膜晶体管的寄生电容,一种新型平坦化材料被引入.单独采用反应离子刻蚀(RIE)或增强电容耦合等离子刻蚀(ECCP)模式刻蚀该平坦化层均无法获得满意的工艺效果.为此,提出了将RIE和ECCP相结合的方法用于新型平坦化层的刻蚀.实验结果表明:当平坦化层厚度为2.0 μm时,先以RIE模式7 kW/20 Pa条件刻蚀1.5 μm,再以ECCP模式5 kW+4 kW/8 Pa条件继续刻蚀平坦化层及其下方的氮化硅,刻蚀出的过孔图形表面光滑,氮化硅层无底切,平坦化层孔径均值6.12 μm.本研究结果为后续采用该平坦层材料的高分辨率、低功耗产品的设计和生产打下了坚实基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董承远	上海交通大学电子信息与电气工程学院	12	28	4.0	5.0