日本松下公司抑制常关态氮化镓晶体管的电流崩塌可达800V

• 作者: 科信
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 日本松下公司 漏极 直流测试 势垒层 功率开关 导通电阻 阈值电压 击穿电压 外延层
• 年，卷（期）: bdtxx_2015,（6）
• 页码范围: 20-
• 页数: 1页
• 分类号: TN32

摘要

<正>日本松下公司在栅注入晶体管结构中嵌入混合漏极,对常关态氮化镓晶体管的电流崩塌进行抑制达800V。混合漏极由一个普通漏极和一个附加的p型漏极组成,p型漏极通过在铝镓氮势垒层沉积p型氮化镓形成。两个漏极区域连接。研究人员认为其应用包括下一代高效率可靠高功率开关。氮化镓晶体管中的电流崩塌描述为与直流测试相比,当器件处于转换状态