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摘要:
<正>日本松下公司在栅注入晶体管结构中嵌入混合漏极,对常关态氮化镓晶体管的电流崩塌进行抑制达800V。混合漏极由一个普通漏极和一个附加的p型漏极组成,p型漏极通过在铝镓氮势垒层沉积p型氮化镓形成。两个漏极区域连接。研究人员认为其应用包括下一代高效率可靠高功率开关。氮化镓晶体管中的电流崩塌描述为与直流测试相比,当器件处于转换状态
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文献信息
篇名 日本松下公司抑制常关态氮化镓晶体管的电流崩塌可达800V
来源期刊 半导体信息 学科 工学
关键词 氮化镓 日本松下公司 漏极 直流测试 势垒层 功率开关 导通电阻 阈值电压 击穿电压 外延层
年,卷(期) bdtxx_2015,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 20-
页数 1页 分类号 TN32
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研究主题发展历程
节点文献
氮化镓
日本松下公司
漏极
直流测试
势垒层
功率开关
导通电阻
阈值电压
击穿电压
外延层
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体信息
双月刊
16开
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东
1990
chi
出版文献量(篇)
5953
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11
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