高效率GaN基高压LED芯片的制备及COB封装

• 作者: 李静 王洪 黄华茂 黄晓升
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高压LED 芯片制备 封装基板 发光效率
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 692-698
• 页数: 7页
• 分类号: TN383+.1|TN304
• 字数: 3094字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20153606.0692

摘要

为提升GaN基高压LED芯片的出光性能,优化了芯片发光单元之间隔离沟槽的宽度.当隔离沟槽宽度为20μm时,芯片的电学性能和光学性能最优.当注入电流为20 mA时,正向电压为50.72 V,输出光功率为373.64 mW,电光转换效率为36.83％.采用镜面铝基板和陶瓷基板进行了4颗芯片串联形式的COB封装.镜面铝基板的热导率和反射率均高于陶瓷基板,可提升HV-LED器件在大注入电流和高温时的发光性能.当注入电流为20 mA且基板温度为20℃时,镜面铝基板封装的HV-LED器件的正向电压是198.9 V,发光效率达122.2 lm/W.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王洪	华南理工大学物理与光电学院广东省光电工程技术研究开发中心	61	412	10.0	18.0
2	李静	华南理工大学物理与光电学院广东省光电工程技术研究开发中心	73	572	14.0	21.0
3	黄华茂	华南理工大学物理与光电学院广东省光电工程技术研究开发中心	13	58	5.0	7.0
4	黄晓升	华南理工大学物理与光电学院广东省光电工程技术研究开发中心	1	6	1.0	1.0