低导通电阻4H-SiC光导开关

• 作者: 孙艳玲 宋朝阳 杨萌 石顺祥 郭辉
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅光导开 欧姆接触 离子注入 导通电阻
• 年，卷（期）: 2015,（12）
• 所属期刊栏目: 脉冲功率技术
• 页码范围: 242-245
• 页数: 4页
• 分类号: TN256
• 字数: 2716字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201527.125003

摘要

研制了以4H-SiC为基底材料的同面型光导开关,研究了磷离子注入对器件性能的影响.测试结果表明,采用磷离子注入能够有效降低电极处的体电阻,光导开关单位电极间隙的最小导通电阻为3.17 Ω/mm.实验研究了偏置电压和光脉冲能量对导通电阻的影响,在偏置电压10 kV、光能量为30.5 mJ的条件下,器件的输出功率超过2.0 MW.结果表明,研制的开关具有输出波形稳定、抖动小、功率大等特点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙艳玲	西安电子科技大学物理与光电工程学院	27	138	7.0	11.0
2	石顺祥	西安电子科技大学物理与光电工程学院	67	519	13.0	19.0
3	郭辉	西安电子科技大学微电子学院	21	161	9.0	12.0
4	杨萌	西安电子科技大学物理与光电工程学院	1	0	0.0	0.0
5	宋朝阳	西安电子科技大学微电子学院	1	0	0.0	0.0