在独立氮化镓衬底上制备垂直肖特基势垒二极管

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 肖特基势垒二极管 氮化镓 垂直 制备 衬底 研究人员
• 年，卷（期）: bdtxx_2015,（4）
• 页码范围: 17-18
• 页数: 2页
• 分类号: TN311.7

摘要

日本ToyodaGosei公司近日研发出垂直氮化镓肖特基势垒二极管（SBD），能够在790V反向阻断的条件下，处理50A的正向电流。研究人员称，