磁控溅射工艺引起硅表面超薄钝化层电子结构变化

• 作者: 徐静 杜汇伟 杨洁 陈姝敏 马忠权 高明
• 来源期刊: 科学通报
• 关键词: 溅射损伤 SiOx/c-Si界面 μ-PCD 有效少子寿命 真空退火 XPS
• 年，卷（期）: 2015,（19）
• 所属期刊栏目: 凝聚态物理学
• 页码范围: 1841-1848
• 页数: 8页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1360/N972014-01384

摘要

通过真空热退火、有效少子寿命(reff)的测量(利用微波光电导衰减μ-PCD法)和表面-界面光电子能谱分析(X-ray Photoemission Spectroscopy,XPS)等方法,研究了磁控溅射沉积ITO(Indium Tin Oxide)薄膜过程中,等离子体中载能粒子束(原子/离子和紫外辉光)对超薄SiOx(1.5～2.0 nm)/c-Si(150 rn)样品界面区的原子成键和电子态的损伤问题,并就ITO薄膜的硅表面电子态有效钝化功能进行了研究.结果表明,溅射沉积ITO薄膜材料后该样品的Teff衰减了90％以上,从105 μs减少到5ts.但是,适当退火条件可以恢复少子寿命到30 μs,表明SiOx/c-Si之间界面态的降低有助于改善氧化层的钝化效果.ITO薄膜和c-Si之间SiOx薄层的形成和它的结构随退火温度的变化,是导致界面态、少子寿命变化的主要原因,且得到了XPS深度剖析分析的确认.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐静		25	313	8.0	17.0
2	马忠权		25	87	5.0	8.0
3	杨洁		8	10	2.0	3.0
4	高明		14	17	3.0	3.0
5	杜汇伟		4	0	0.0	0.0
6	陈姝敏		2	0	0.0	0.0