ONO反熔丝器件寿命预测模型的建立

• 作者: 刘佰清 刘国柱 敖一程 洪根深 王印权 郑若成
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 物理学
• 关键词: ONO反熔丝 TDDB E Model 激活能 寿命模型
• 年，卷（期）: 2015,（14）
• 所属期刊栏目: 计算模拟
• 页码范围: 152-155
• 页数: 4页
• 分类号: O47
• 字数: 2536字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11896/j.issn.1005-023X.2015.14.033

摘要

基于1.0 μm ONO(SiO2-Si3 N4-SiO2)反熔丝CMOS工艺下的反熔丝单元器件,研究了ONO反熔丝单元器件的TDDB寿命预测模型.研究发现ONO反熔丝单元器件的温度激活能Ea与电场强度Eeff存在线性关系,证明了ONO反熔丝器件的TDDB寿命预测模型满足“E Model”;并基于TDDB可靠性实验数据分析,拟合“E Model”模型中的各个参数,建立了寿命预测模型.同时,通过建立的寿命模型预测不同批次的ONO单元器件寿命,与实测值对比发现,寿命预测模型具有较高的准确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	洪根深		33	74	5.0	6.0
2	郑若成		20	44	4.0	5.0
3	王印权		7	10	2.0	3.0
4	刘国柱		15	32	4.0	4.0
5	刘佰清		2	3	1.0	1.0
6	敖一程		1	0	0.0	0.0