SiC衬底上外延石墨烯的氢插入及表征

• 作者: 孙丽 徐现刚 胡小波 赵显 郁万成 陈秀芳
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 石墨烯 碳化硅 热解法
• 年，卷（期）: 2015,（12）
• 页码范围: 3384-3388,3394
• 页数: 6页
• 分类号: O78
• 字数: 3352字
• 语种: 中文

摘要

使用热解法在4H-SiC硅面制备出单层石墨烯,而后将石墨烯置于氢气气氛下退火,使氢插入到缓冲层与SiC衬底之间.利用X射线光电子能谱对氢插入后的化学键变化进行了表征.样品的碳1s能谱中碳元素由SiC衬底、石墨烯及缓冲层共同构成.对不同氢气退火温度下各组分的强度进行采集与分析,并分别与相应的拉曼光谱数据进行对比.结果表明,低于800℃退火温度会造成氢插入的不完全,但当退火温度超过1200℃后,插入的氢将被释放.为获得较优的氢插入效果,需要选择1000℃左右的氢气退火温度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡小波	山东大学晶体材料国家重点实验室	67	321	9.0	14.0
2	徐现刚	山东大学晶体材料国家重点实验室	77	407	10.0	16.0
3	孙丽	山东大学晶体材料国家重点实验室	22	95	6.0	9.0
4	赵显	山东大学晶体材料国家重点实验室	31	87	5.0	8.0
5	陈秀芳	山东大学晶体材料国家重点实验室	17	102	5.0	9.0
6	郁万成	山东大学晶体材料国家重点实验室	3	11	2.0	3.0