Si面6H-SiC衬底外延石墨烯的异常硝酸掺杂效应

• 作者: 刘竞博 王泽高 田洪军 郝昕
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 热裂解SiC 外延石墨烯 硝酸掺杂 方阻 电荷转移 氧脱附
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 14-17
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.3
• 字数: 2843字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2013.07.004

摘要

比较研究了Si面、C面SiC外延石墨烯以及CVD石墨烯的硝酸掺杂效应.结果表明对C面SiC外延石墨烯和CVD石墨烯,硝酸掺杂显现出p型掺杂特性使其方阻降低,这是由于硝酸与石墨烯氧化还原反应过程中电荷转移所导致;而对于Si面SiC外延石墨烯,硝酸掺杂则显现出n型掺杂特性使其方阻增大,这种异常掺杂效应是由于硝酸与石墨烯发生氧化还原反应释放出的热量使悬挂键吸附的氧脱附,增强了石墨烯与衬底之间的耦合效应,从而使得电子浓度增大,电子的迁移率显著减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝昕	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	5	20	2.0	4.0
2	王泽高	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	3	54	2.0	3.0
3	刘竞博	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	2	1.0	1.0
4	田洪军	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	2	1.0	1.0