一种用于提高读写操作的新型8管SRAM单元设计

• 作者: 孟坚 李颂
• 来源期刊: 电脑知识与技术：学术交流
• 学科: 工学
• 关键词: 新型8管 单个位线读写 静态噪声容限 保持噪声容限
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 页码范围: 254-256
• 页数: 3页
• 分类号: TP311

摘要

随着MOS制造工艺的不断发展,晶体管的特征尺寸越来越小,SRAM存储单元对制造工艺的要求也越来越高,功耗问题也越来越突出,该文设计的新型8管采用单个位线来进行读写操作,在两个交叉耦合的反相器之间加入PMOS晶体管来提高写能力。仿真的结果表明：与传统6管和7管相比,这种8管呈现出更好的读噪声容限、写裕度和保持存储数据的能力。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孟坚	安徽大学电子信息工程学院	39	122	6.0	9.0
2	李颂	安徽大学电子信息工程学院	4	2	1.0	1.0