柔性环境应变对InGaAsP量子阱材料增益的影响

• 作者: 孙长征 李洪涛 欧春晖 汪莱 熊兵 王健 罗毅 郝智彪 韩彦军
• 来源期刊: 中国科学（物理学 力学 天文学）
• 关键词: 应变 InGaAsP量子阱 增益谱
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 86-91
• 页数: 6页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1360/SSPMA2015-00440

摘要

本文采用k·p方法,从能带结构出发,研究了柔性环境应变对于InGaAsP量子阱增益的影响.计算出在不同注入载流子浓度情况下,垂直(z)方向和水平(x)方向应变对于不同组分InGaAsP量子阱TE,TM模增益谱的影响,发现z方向压应变的主要作用是使TE模的增益峰位置发生蓝移,并提高TM模的增益峰的数值;x方向压应变使TE增益峰位置发生红移、TM模增益峰位置发生蓝移,并降低TM模增益峰的数值.而z方向张应变的主要作用是使TE模的增益峰位置发生红移,并降低TM模的增益峰的数值;x方向张应变使TE增益峰位置发生蓝移、TM模增益峰位置发生红移,并提高TM模增益峰的数值.进一步得出为保持InGaAsP量子阱材料增益的波动变化量不超过30％、增益峰位置移动量不超过20 nm,柔性环境对其施加的应变应控制在3‰以内.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩彦军		14	127	5.0	11.0
2	郝智彪		12	34	2.0	5.0
3	孙长征		22	73	3.0	8.0
4	王健		57	1058	14.0	32.0
5	罗毅		38	223	8.0	14.0
6	汪莱		6	2	1.0	1.0
7	熊兵		18	13	2.0	2.0
8	李洪涛		7	29	3.0	5.0
9	欧春晖		1	0	0.0	0.0