重离子辐照SiO2/Si结构变温光致发光谱研究

• 作者: 冷宏强 刘鑫 林巍 胥鹏飞 马瑶 龚敏
• 来源期刊: 光散射学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 重离子 SiO2/Si结构 变温光致发光
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 其它光谱技术及应用
• 页码范围: 369-373
• 页数: 5页
• 分类号: O433
• 字数: 3055字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13883/j.issn1004-5929.201604015

摘要

本文研究了重离子辐照前后SiO2/Si结构光学性质的变化.实验选择初始能量为414 MeV,不同辐照总剂量的Sn离子,在室温下辐照氧化层厚度为36 nm和90 nm的SiO2/Si结构.并在不同测试温度下获得了辐照前后SiO2/Si结构的光致发光谱(PL)谱.在相同的测试温度下,随着辐照总剂量的改变,峰位发生了移动,峰的强度也发生了改变;在相同的辐照总剂量下,随着测试温度的改变,峰位发生移动.由于受束缚激子发光的影响,在测试温度为80 K时出现了一个新的光致发光峰.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘鑫	四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室	55	315	10.0	16.0
2	龚敏	四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室	109	372	10.0	12.0
3	马瑶	四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室	15	31	3.0	5.0
4	胥鹏飞	四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室	1	1	1.0	1.0
5	林巍	四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室	2	1	1.0	1.0
6	冷宏强	四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室	1	1	1.0	1.0