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摘要:
设计了一种基于辐射剂量传感器(RadFET)的辐射总剂量监测系统,并利用60Co-γ射线和电子加速器对金属氧化物半导体(MOS)结构的RadFET进行了电离总剂量效应模拟试验,得到了器件阈值电压随辐照剂量的变化情况.结果表明,该器件具有良好的抗辐射能力,累积剂量可达到1.0 ×105 Gy,同时,在空间应用时需重点考虑阈值电压、环境温度以及击穿电压等敏感参数.
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文献信息
篇名 基于RadFET的宽范围电离总剂量效应监测系统及试验研究
来源期刊 计量学报 学科 工学
关键词 计量学 辐射剂量传感器 电离总剂量效应 实时监测 空间辐射
年,卷(期) 2016,(z1) 所属期刊栏目 电离辐射计量
研究方向 页码范围 60-63
页数 4页 分类号 TB98
字数 2308字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-1158.2016.z1.13
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研究主题发展历程
节点文献
计量学
辐射剂量传感器
电离总剂量效应
实时监测
空间辐射
研究起点
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
计量学报
月刊
1000-1158
11-1864/TB
大16开
北京1413信箱
2-798
1980
chi
出版文献量(篇)
3549
总下载数(次)
8
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20173
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