基于标准CMOS工艺的抗辐射带隙基准电路设计

• 作者: 王鹏
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: 总剂量辐射 互补型金属氧化物半导体 带隙基准 三极管 基极漏电流 动态电流补偿
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 13-16
• 页数: 4页
• 分类号: TN4
• 字数: 1873字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2016.03.004

摘要

针对标准纳米CMOS工艺下实现的带隙基准电路抗辐射加固性能不高的问题,分析了带隙基准电路中采用的纵向衬底PNP三极管器件由于总剂量辐射效应引起基极漏电流增加、输出电压漂移的原因,探讨了采用栅氧化层隔离发射极的版图优化技术及动态基极漏电流补偿电路设计技术等提高标准CMOS工艺下低压带隙基准电路抗电离总剂量辐射能力的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王鹏	中国电子科技集团公司第四十七研究所	63	96	4.0	6.0