X 波段 GaAs 功率芯片共晶焊热应力分析

• 作者: 候林 唐丽蓉 杨军 王韩 禹胜林 纪宣
• 来源期刊: 焊接学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电子芯片 热应力 可靠性 热循环
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 页码范围: 107-109
• 页数: 3页
• 分类号: TG421
• 字数: 1583字
• 语种: 中文

摘要

随着电子封装集成度的不断提高，电子芯片的功率容量和发热量也越来越大，封装体内部温度分布不均以及产生的热应力影响芯片的可靠性。热沉作为电子设备主要的散热方式之一，被广泛使用。利用ANSYS有限元软件针对芯片-共晶层-热沉结构进行建模，通过有限元3 D模型模拟该封装结构在热循环温度-55～125℃条件下产生的热应力情况，研究了采用不同热沉材料共晶焊的应力。结果表明，该结构封装的最大应力出现在热沉下表面的4个拐角处。钨铜为热沉结构时应力值最大，AlSi50次之，AlN最小。研究结果对X波段功率模块封装设计提供了设计依据。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	禹胜林	南京信息工程大学电子与信息工程学院	13	21	3.0	4.0
2	纪宣	南京信息工程大学电子与信息工程学院	2	2	1.0	1.0
3	杨军		1	2	1.0	1.0
4	王韩		2	2	1.0	1.0
5	候林		1	2	1.0	1.0
6	唐丽蓉		1	2	1.0	1.0