第二步沉积速率和钠掺杂对低温生长铜铟镓硒薄膜结构及电阻率的影响

• 作者: 孔慧 林璠
• 来源期刊: 机械工程材料
• 学科: 工学
• 关键词: 铜铟镓硒薄膜 沉积速率 钠掺杂 低温生长
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 试验研究
• 页码范围: 6-9,15
• 页数: 5页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 2950字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11973/jxgccl201601002

摘要

首先采用热蒸发法在镀钼的 PI 衬底上沉积 NaF 薄膜,然后采用低温三步共蒸法在有无沉积 NaF 的 PI 衬底上沉积铜铟镓硒(CIGSe)薄膜,研究了第二步沉积速率和钠掺杂对 CIGSe薄膜结构及电阻率的影响。结果表明：随着第二步沉积速率增大,CIGSe 薄膜的晶粒尺寸显著增大,(220/204)择优取向生长逐渐增强；随着钠掺杂量增加,CIGSe 薄膜的电阻率显著下降,晶粒尺寸逐渐减小,择优取向从(220/204)织构方向转变为(112)织构方向,并出现镓的两相分离现象。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林璠	上海电机学院数理教学部	7	5	1.0	2.0
2	孔慧		1	0	0.0	0.0