西电郝跃院士团队在先进微电子器件研究领域取得突破性进展

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 微电子器件 突破性 金属氧化物半导体场效应晶体管 院士 西安电子科技大学 MOSFET器件 电容效应 负电容
• 年，卷（期）: bdtxx_2016,（6）
• 页码范围: 17-18
• 页数: 2页
• 分类号: TN4

摘要

日前,西安电子科技大学微电子学院郝跃院士研究团队在负电容锗与锗锡沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）研究领域取得了突破性进展,首次通过实验,系统地验证了铁电MOSFET器件中的负电容效应以及负电容对器件电流和亚阈值摆幅的提升作用。