一种带埋层的新型结终端技术

• 作者: 周嵘 张玉蒙 张金平 李泽宏 熊景枝
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电场 击穿电压 终端技术 场限环 P-埋层 终端宽度
• 年，卷（期）: 2016,（9）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 37-40
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2009字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.09.008

摘要

在高压功率器件领域,常规的场限环技术由于环的个数较多,占用芯片面积较大,导致终端的效率很低.为了改善这一缺点,提出了一种带P-埋层的新型高压终端技术,有效降低了主结边缘处的电场集中,提高了击穿电压.仿真结果表明,该结构的击穿电压达到3 439 V,终端的长度为1000μm,较常规的场限环结构1 500μm(英飞凌公司3 300V产品)节省了近30％的终端面积.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张金平	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	19	83	5.0	8.0
2	李泽宏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	32	111	6.0	8.0
3	周嵘		3	3	1.0	1.0
4	张玉蒙	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	2	1.0	1.0
5	熊景枝	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	2	1.0	1.0