硅基锗薄膜的红外吸收谱和电学特性

• 作者: 侯清玉 李继军 温淑敏 王细军 赵春旺
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅基锗薄膜 红外吸收谱 载流子浓度 迁移率 电导率
• 年，卷（期）: 2016,（10）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 1177-1181
• 页数: 5页
• 分类号: O722|O484.4
• 字数: 3049字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20163710.1177

摘要

为了解退火对硅基锗薄膜的质量、红外吸收、透射率和电学性质的影响,采用分子束外延方法用两步法在硅基上生长锗薄膜.将生长后的样品分成两部分,其中一部分进行了退火处理.对退火前后的样品用高分辨X射线双晶衍射仪测量了(400)晶面的X射线双晶衍射摇摆曲线,用傅里叶红外光谱仪测量了红外透射率和吸收谱,并用霍尔效应仪测量了退火前后样品的载流子浓度、迁移率、电阻率、电导率和霍尔系数.结果表明,退火后的薄膜质量明显提高.退火后大部分区域吸收增大,透射率明显减小,615～3 730 cm-1区间的透射率均比退火前降低了20％以上.退火后的体载流子浓度增大到退火前的23.26倍,迁移率增大到退火前的27.82倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	侯清玉	内蒙古工业大学理学院	43	191	7.0	9.0
2	李继军	内蒙古工业大学理学院	56	292	8.0	16.0
3	赵春旺	内蒙古工业大学理学院	58	247	9.0	12.0
5	温淑敏	内蒙古工业大学理学院	15	33	4.0	5.0