压阻式MEMS高温压力传感器设计与关键工艺研究

• 作者: 姚宗 李丹丹 李赛男 梁庭 熊继军
• 来源期刊: 仪表技术与传感器
• 学科: 工学
• 关键词: SOI(绝缘体上硅) 压力敏感芯片 关键工艺 kulite压力传感器 背靠背测量
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 传感器技术
• 页码范围: 9-11
• 页数: 3页
• 分类号: TP212
• 字数: 2126字
• 语种: 中文

摘要

在SIMOX技术SOI晶圆的基础上,设计了压力敏感芯片结构,并基于MEMS工艺制作了压力敏感芯片.根据芯片实际情况,分析了传感器制备过程的关键工艺参数及其影响.同时采用5V恒压源供电,在相同情况下,增加kulite压力传感器背靠背测量不同气压下的输出电压值并比较.测量结果表明,所制备的SOI压力传感器线性度达到0.99％,重复性高达0.35％,迟滞性为0.1％,有望用到实际工程应用中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁庭		2	14	2.0	2.0
2	李丹丹		1	4	1.0	1.0
3	李赛男		1	4	1.0	1.0
4	姚宗		1	4	1.0	1.0