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MEMS硅半球陀螺球面电极成形工艺
MEMS硅半球陀螺球面电极成形工艺
作者:
吕东锋
喻磊
庄须叶
李平华
王新龙
郭群英
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
微机电系统
半球陀螺
球面电极
电感耦合等离子体(ICP)刻蚀
摘要:
由于球面电极是曲面结构,电极各处的电感耦合等离子体(ICP)刻蚀深度不一致,在加工过程中常发生球面电极还未刻蚀到位而谐振器已被破坏的现象,故本文提出了新的球面电极成形工艺。基于 ICP 刻蚀固有的 lag 效应,采用刻蚀窗口宽度由60μm 渐变至10μm 的 V 形刻蚀掩模调制电极各处的刻蚀速度,在电极各处获得了基本一致的归一化刻蚀速度(2.3μm/min)。利用台阶结构拟合球面电极的3D 曲面结构,并保证通刻阶段的硅厚度基本一致为150μm 来消除球面电极加工时最薄处已经刻穿阻挡层并破坏谐振器而最厚处还没有刻蚀到位的现象。结合台阶状的二氧化硅掩模对球面电极各点处的硅 ICP 刻蚀当量进行了调整,使其基本相等,通过一次 ICP 刻蚀即完成了对硅球面电极的加工。利用提出的方法成功制备出了具有功能性输出的微机电系统(MEMS)半球陀螺的硅球面电极,其最大半径可达500μm 。
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文献信息
篇名
MEMS硅半球陀螺球面电极成形工艺
来源期刊
光学精密工程
学科
交通运输
关键词
微机电系统
半球陀螺
球面电极
电感耦合等离子体(ICP)刻蚀
年,卷(期)
2016,(11)
所属期刊栏目
? 微纳技术与精密机械 ?
研究方向
页码范围
2746-2752
页数
7页
分类号
TP212.9|U666.1
字数
3024字
语种
中文
DOI
10.3788/OPE.20162411.2746
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
庄须叶
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2
李平华
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3.0
3
王新龙
2
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喻磊
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5
吕东锋
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郭群英
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二级引证文献(0)
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二级引证文献(2)
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引证文献(5)
二级引证文献(8)
2020(5)
引证文献(0)
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研究主题发展历程
节点文献
微机电系统
半球陀螺
球面电极
电感耦合等离子体(ICP)刻蚀
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
光学精密工程
主办单位:
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
中国仪器仪表学会
出版周期:
月刊
ISSN:
1004-924X
CN:
22-1198/TH
开本:
大16开
出版地:
长春市东南湖大路3888号
邮发代号:
12-166
创刊时间:
1959
语种:
chi
出版文献量(篇)
6867
总下载数(次)
10
总被引数(次)
98767
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