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摘要:
由于球面电极是曲面结构,电极各处的电感耦合等离子体(ICP)刻蚀深度不一致,在加工过程中常发生球面电极还未刻蚀到位而谐振器已被破坏的现象,故本文提出了新的球面电极成形工艺。基于 ICP 刻蚀固有的 lag 效应,采用刻蚀窗口宽度由60μm 渐变至10μm 的 V 形刻蚀掩模调制电极各处的刻蚀速度,在电极各处获得了基本一致的归一化刻蚀速度(2.3μm/min)。利用台阶结构拟合球面电极的3D 曲面结构,并保证通刻阶段的硅厚度基本一致为150μm 来消除球面电极加工时最薄处已经刻穿阻挡层并破坏谐振器而最厚处还没有刻蚀到位的现象。结合台阶状的二氧化硅掩模对球面电极各点处的硅 ICP 刻蚀当量进行了调整,使其基本相等,通过一次 ICP 刻蚀即完成了对硅球面电极的加工。利用提出的方法成功制备出了具有功能性输出的微机电系统(MEMS)半球陀螺的硅球面电极,其最大半径可达500μm 。
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文献信息
篇名 MEMS硅半球陀螺球面电极成形工艺
来源期刊 光学精密工程 学科 交通运输
关键词 微机电系统 半球陀螺 球面电极 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀
年,卷(期) 2016,(11) 所属期刊栏目 ? 微纳技术与精密机械 ?
研究方向 页码范围 2746-2752
页数 7页 分类号 TP212.9|U666.1
字数 3024字 语种 中文
DOI 10.3788/OPE.20162411.2746
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 庄须叶 5 19 2.0 4.0
2 李平华 3 14 1.0 3.0
3 王新龙 2 13 1.0 2.0
4 喻磊 2 13 1.0 2.0
5 吕东锋 2 14 1.0 2.0
6 郭群英 2 16 2.0 2.0
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