基片温度对直流反应磁控溅射法制备氧化钨电致变色材料循环寿命的影响

• 作者: 丛芳玲 刘旭 罗乐平 董玉红 赵杰 赵青南 顾宝宝
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 物理学
• 关键词: 直流反应溅射 氧化钨薄膜 基片温度 循环寿命 光学调制幅度
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 试验与技术
• 页码范围: 1847-1850
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 1957字
• 语种: 中文

摘要

通过选取室温、100℃、200 ℃三个不同基片温度制度来探讨基片温度对氧化钨薄膜电致变色循环寿命的影响.实验结果表明:当基片温度由室温提高至100℃后,氧化钨薄膜的循环寿命有较大的改善,循环次数由806次提高至3000次.当基片温度由100℃提高至200℃时,循环寿命反而有所衰退,循环次数由3000次减少至1000次.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵青南	武汉理工大学硅酸盐建筑材料国家重点实验室	45	423	12.0	19.0
3	丛芳玲	武汉理工大学硅酸盐建筑材料国家重点实验室	4	5	2.0	2.0
6	刘旭	武汉理工大学硅酸盐建筑材料国家重点实验室	16	77	4.0	8.0
7	罗乐平	武汉理工大学硅酸盐建筑材料国家重点实验室	4	5	2.0	2.0
8	顾宝宝	武汉理工大学硅酸盐建筑材料国家重点实验室	4	5	2.0	2.0
9	董玉红		14	18	2.0	4.0